个人简介
姓 名：唐吉龙
出生年月：1977.3.6
学历学位：研究生/博士
职 称：研究员
所在系所：半导体激光及应用实验室
电子邮件：jl_tangcust@163.com
指导研究生所属学科及导师类别：光学工程、博士生导师
研究领域：光电子技术与应用
唐吉龙，研究员，博士生导师，研究方向：“光电子技术与应用”，从事于中红外半导体材料及器件应用方面研究。
承担了国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金重大仪器专项，科工局等国家、省部级项目11项。攻克了中红外半导体激光器及芯片的技术瓶颈难题，经鉴定器件核心指标达到国际先进水平，改变了我国中红外半导体激光器“有器无芯”的现状，打破了“瓦森纳协定”进口限制壁垒，解决了“卡脖子”问题，相应成果“中长波半导体激光芯片关键技术及应用开发”获2021年吉林省科学技术进步一等奖。
以基础性技术为研究重点，突破了多元合金、微纳结构、掺杂精确调控等关键技术，揭示了界面态、相变、应变对发光机制的影响，提高材料光电性能。以通讯作者发表学术论文30余篇，其中，SCI检索20余篇，二区8篇，EI检索10篇。卓越期刊6篇。申请国家发明专利20项，授权发明专利15项。
教育经历
1996.09-2000.07，长春光学精密机械学院，工学学士学位
2003.09-2005.07，长春理工大学，理学硕士学位
2006.04-2011.06，长春理工大学，工学博士学位
工作经历
2000.09-2009.09，长春光学精密机械学院，材料系教师
2009.09-2014.09，长春理工大学,光电工程学院，教师
2014.09-至今，长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室，教师
代表性科研项目
近年来，作为项目负责人主持国家自然基金重大仪器专项、国家自然基金面上项目、科工局基础项目、省科技厅等国家级、省部级项目10余项，以项目骨干参加国家自然科学基金、总装预研等国家级项目5项，主持项目如下。
1.国家自然科学基金重大科研仪器项目：THz集成系统近场信息扫描仪，2021.01.01- 2025.12.31.
2. 国家自然基金面上项目： 3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究，2015.09.29-2017.12.31.
3. 总装预研项目：XXX半导体激光器研究，2019.01.01-2020.12.31.
4. 科工局基础科研项目：XXXXXXXXXX研究，2019.01.01-2020.12.31.
5. 总装预研项目：XXXXXXXXX研究，2017.01.01-2018.12.31.
6. 吉林省科技厅：大气污染气体激光检测系统的研制，2017.01.01-2018.12.31.
7. 吉林省科技厅：锑化物W型量子阱材料及其在中红外激光器中的应用研究，2016.01.01-2018.12.31.
8. 总装预研项目：XXXXXXXXX研究，2015.05.01-2017.12.31.
9. 吉林省教育厅：p型Cu2O薄膜的δ掺杂及其异质结光伏特性研究，2016.01.01-2017.12.31.
10. 吉林省科技厅：氧化锌基量子点太阳能电池材料的制备与特性研究，2012.11.01-2014.12.31.
11. 吉林省科技厅：Si掺杂类金刚石（DLC）膜的研究，2010.9.1-2012.12.31.
代表性论文
发表论文30余篇，其中SCI收录论文20余篇，二区8篇，EI检索10篇，卓越期刊6篇。
1. Si doping-induced phase control, formation of p-type and n-type GaAs nanowires，Vacuum，2022，SCI/二区.
2. Synthesis and characterization of kinked GaAs nanowires by Sb surfactant，Vacuum，2022，SCI/二区.
3. Effect of Rapid Thermal Annealing on the Emission Properties in InGaAsSb/AlGaAsSb Multiple Quantum Wells，PSS，SCI/二区.
4. Structural and optical properties of Be-doped high-quality self-catalyzed GaAs nanowires，Optical Materials Express，2021，SCI/二区.
5. Investigation of localized state emissions in quaternary InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy， Optical Materials Express，2020，SCI/二区.
6. Structural and spectroscopy characterization of coaxial GaAs/GaAsSb/GaAs single quantum well nanowires fabricated by molecular beam epitaxy，CrystEngComm，2019，SCI/二区.
7. Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping，Journal of Luminescence，2018，SCI/二区.
8. Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires，Appl. Phys. Lett.，2018，SCI/二区.
9. Emission characteristics variation of GaAs0.92Sb0.08/Al0.3Ga0.7As strained multiple quantum wells caused by rapid thermal annealing，Scientific Reports，2021，SCI/三区.
10. Growth of high-crystallinity uniform GaAs nanowire arrays by molecular beam epitaxy，Chin. Phys. B，2021，SCI/三区.
11. Be, Si 掺杂调控GaAs 纳米线结构相变及光学特性，物理学报，2021，SCI/三区.
12. GaAs纳米线晶体结构及光学特性，物理学报，2019，SCI/三区.
13. Facile synthesis via a solvent molecular template and formation mechanism of uniform zinc antimony nanorods，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2018，SCI/三区.
14. Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films Treated by Thermal Annealing，Nanoscience and Nanotechnology Letters，2015，SCI/三区.
15. Surface Periodic Nanostructure of p-GaSb Irradiated by Femtosecond Laser and Optical Properties Research Schottky diodes，Nanoscience and Nanotechnology Letters，2015，SCI/三区.
16. Synthesis and Characterization of ZnO/Ag-Doped ZnO Core–Shell Nanowires，Nanoscience and Nanotechnology Letters，2015，SCI/三区.
17. Determination of band offset in MgO/InP heterostructure by X-ray photoelectron spectroscopy，Vacuum，2016，SCI/三区.
18. Type II InAs/GaSb superlattice growth via molecular beam epitaxy，Optik，2019，SCI/四区.
19. The optical property improvement of GaAs via surface passivation and carriers restriction of MgO film，FERROELECTRICS，2018，SCI/四区.
20. High density GaAs nanowire arrays through substrate processing engineering，Materials Research Express，2018，SCI/四区.
21. 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn1-xO纳米纤维及其光学性质研究，光谱学与光谱分析，2014，SCI/四区.
22. 快速热退火对InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响，中国激光，2021，EI.
23. Si 掺杂对GaAs 纳米线发光特性的影响，发光学报，2021，EI.
24. 低噪声InGaAs／InP雪崩光电二极管的模拟分析，中国激光，2021，EI.
25. Self-induced antimony compositional variation GaAs/Ga(As)Sb coreshell nanowires by molecular beam epitaxy，Journal of Physics: Conference Series，2021，EI.
26. The molecular beam epitaxy growth of InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well on GaAs substrate with emission wavelength of∼ 2μm，Journal of Physics: Conference Series，2021，EI.
27. 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性，中国激光，2019，EI.
28. GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究，光子学报，2019，EI.
29. 基于时域有限差分法的 Au 纳米天线增强消光特性研究，光子学报，2018，EI.
30. Progress on Preparation of InAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy，Materials Science Forum，2015，EI.
31. The structural and optical properties of Be-doped GaAs grown by MBE，AMR，2015，EI.
代表性专利
1. 唐吉龙，申琳，魏志鹏，一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，授权号ZL201911411778.0.
2. 唐吉龙，王鹏华，魏志鹏，一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用，国家发明专利，授权号ZL201911421077.5.
3. 唐吉龙，魏志鹏，方铉，一种基于量子点修饰的纳米线探测器，国家发明专利，授权号ZL201811405317.8.
4. 唐吉龙，方铉，魏志鹏，用分子束外延(MBE)在Gasb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法，国家发明专利，授权号ZL201410165012.X.
5. 唐吉龙，魏志鹏，方铉，Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201510111618.X.
6. 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，授权号ZL201911411742.2.
7. 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种窄线宽半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201810000258.X.
8. 魏志鹏，唐吉龙，方铉，一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201810039796.X.
9. 魏志鹏，唐吉龙，方铉， 一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法，国家发明专利，授权号ZL201710352038.9.
10. 魏志鹏，唐吉龙，方铉，一种量子点带间级联激光器，国家发明专利，授权号ZL201610436288.6.
11. 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种半导体光放大器，国家发明专利，授权号ZL201611100374.
12. 贾慧民，魏志鹏，唐吉龙，一种纳米线阵列器件的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201811411998.9.
13.方铉，魏志鹏，唐吉龙，一种钙钛矿微型激光器的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201811227697.0.
14.魏志鹏，贾慧民，唐吉龙，一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，国家发明专利，授权号ZL201810006341.8.
15. 魏志鹏，方铉，牛守柱，唐吉龙，一种发光效率增强的半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201611091156.0.