个人简介

姓名：唐吉龙

出生年月：1977年3月

学历学位：研究生/博士

职称：研究员

所属学院：光电工程学院

电子邮件：jl_tangcust@163.com

指导研究生所属学科及导师类别：光学工程：博士生导师

研究领域：光电子技术与应用

唐吉龙，研究员，博士生导师，研究方向：“光电子技术与应用”，从事于中红外半导体材料及器件应用方面研究。

承担了国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金重大仪器专项，科工局等国家、省部级项目11项。攻克了中红外半导体激光器及芯片的技术瓶颈难题，经鉴定器件核心指标达到国际先进水平，改变了我国中红外半导体激光器“有器无芯”的现状，打破了“瓦森纳协定”进口限制壁垒，解决了“卡脖子”问题，相应成果“中长波半导体激光芯片关键技术及应用开发”获2021年吉林省科学技术进步一等奖。

以基础性技术为研究重点，突破了多元合金、微纳结构、掺杂精确调控等关键技术，揭示了界面态、相变、应变对发光机制的影响，提高材料光电性能。以通讯作者发表学术论文30余篇，其中，SCI检索20余篇，二区8篇，EI检索10篇。卓越期刊6篇。申请国家发明专利20项，授权发明专利15项。

教育经历

1996年9月-2000年7月，长春光学精密机械学院，工学学士学位

2003年9月-2005年7月，长春理工大学，理学硕士学位

2006年4月-2011年6月，长春理工大学工学，博士学位

工作经历

2000年9月-2009年9月，长春光学精密机械学院，材料系教师

2009年9月-2014年9月，长春理工大学，光电工程学院，教师

2014年9月-至今，长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室，教师

代表性科研项目

近年来，作为项目负责人主持国家自然基金重大仪器专项、国家自然基金面上项目、科工局基础项目、省科技厅等国家级、省部级项目10余项，以项目骨干参加国家自然科学基金、总装预研等国家级项目5项，主持项目如下。

1.国家自然科学基金重大科研仪器项目：THz集成系统近场信息扫描仪，2021.01.01- 2025.12.31.

2. 国家自然基金面上项目： 3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究，2015.09.29-2017.12.31.

3. 总装预研项目：XXX半导体激光器研究，2019.01.01-2020.12.31.

4. 科工局基础科研项目：XXXXXXXXXX研究，2019.01.01-2020.12.31.

5. 总装预研项目：XXXXXXXXX研究，2017.01.01-2018.12.31.

6. 吉林省科技厅：大气污染气体激光检测系统的研制，2017.01.01-2018.12.31.

7. 吉林省科技厅：锑化物W型量子阱材料及其在中红外激光器中的应用研究，2016.01.01-2018.12.31.

8. 总装预研项目：XXXXXXXXX研究，2015.05.01-2017.12.31.

9. 吉林省教育厅：p型Cu2O薄膜的δ掺杂及其异质结光伏特性研究，2016.01.01-2017.12.31.

10. 吉林省科技厅：氧化锌基量子点太阳能电池材料的制备与特性研究，2012.11.01-2014.12.31.

11. 吉林省科技厅：Si掺杂类金刚石（DLC）膜的研究，2010.9.1-2012.12.31.

代表性论文

发表论文30余篇，其中SCI收录论文20余篇，二区8篇，EI检索10篇，卓越期刊6篇。

[1] Kang Y, Tang J, Azad F, et al. Si doping-induced phase control, formation of p-type and n-type GaAs nanowires[J]. Vacuum, 2022, 195: 110643.

[2] Kang Y, Hou X, Tang J, et al. Synthesis and characterization of kinked GaAs nanowires by Sb surfactant[J]. Vacuum, 2022, 196: 110778.

[3] Jia H, Wang D, Azad F, et al. Effect of Rapid Thermal Annealing on the Emission Properties in InGaAsSb/AlGaAsSb Multiple Quantum Wells[J]. physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2021, 15(6): 2000612.

[4] Kang Y, Li H, Tang J, et al. Structural and optical properties of Be-doped high-quality self-catalyzed GaAs nanowires[J]. Optical Materials Express, 2021, 11(8): 2422-2431.

[5] Jia H, Shen L, Li X, et al. Investigation of localized state emissions in quaternary InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy[J]. Optical Materials Express, 2020, 10(12): 3384-3392.

[6] Zhang J, Tang J, Kang Y, et al. Structural and spectroscopy characterization of coaxial GaAs/GaAsSb/GaAs single quantum well nanowires fabricated by molecular beam epitaxy[J]. CrystEngComm, 2019, 21(28): 4150-4157.

[7] Wang D, Liu X, Tang J, et al. Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping[J]. Journal of Luminescence, 2018, 197: 266-269.

[8] Li H, Tang J, Kang Y, et al. Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires[J]. Applied physics letters, 2018, 113(23): 233104.

[9] Wang D, Gao X, Tang J, et al. Emission characteristics variation of GaAs0. 92Sb0. 08/Al0. 3Ga0. 7As strained multiple quantum wells caused by rapid thermal annealing[J]. Scientific Reports, 2021, 11(1): 676.

[10] Kang Y B, Lin F Y, Li K X, et al. Growth of high-crystallinity uniform GaAs nanowire arrays by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2021, 30(7): 078102.

[11] 亢玉彬, 唐吉龙, 李科学, 等. Be, Si 掺杂调控 GaAs 纳米线结构相变及光学特性[J]. 物理学报, 2021.

[12] 王鹏华, 唐吉龙, 亢玉彬, 等. GaAs 纳米线晶体结构及光学特性[J]. 物理学报, 2019, 8.

[13] Zhang H, Wang X, Cai X, et al. Facile synthesis via a solvent molecular template and formation mechanism of uniform zinc antimony nanorods[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29: 10445-10452.

[14] Gao X, Xing S, Tang J L, et al. Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films Treated by Thermal Annealing[J]. Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 7(10): 817-821.

[15] Gao X, Tang J, Fang D, et al. Surface Periodic Nanostructure of p-GaSb Irradiated by Femtosecond Laser and Optical Properties Research[J]. Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 7(1): 1-5.

[16] Fang X, Wang X Y, Tang J, et al. Synthesis and Characterization of ZnO/Ag-Doped ZnO Core–Shell Nanowires[J]. Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 7(8): 643-647.

[17] Liu X, Wang X, Wang D, et al. Determination of band offset in MgO/InP heterostructure by X-ray photoelectron spectroscopy[J]. Vacuum, 2016, 134: 136-140.

[18] Dan F, Chenglin L, Jiaxu G, et al. Type II InAs/GaSb superlattice growth via molecular beam epitaxy[J]. Optik, 2019, 198: 163208.

[19] Wang D, Liu X, Wang X, et al. The optical property improvement of GaAs via surface passivation and carriers restriction of MgO film[J]. Ferroelectrics, 2018, 530(1): 60-65.

[20] Kang Y, Tang J, Wang P, et al. High density GaAs nanowire arrays through substrate processing engineering[J]. Materials Research Express, 2018, 6(3): 035012.

[21] 贾慧民, 唐吉龙, 方铉, 等. 以 PVP 纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备 Mg x Zn 1-x O 纳米纤维及其光学性质研究[J]. 光谱学与光谱分析, 2014, 34(12): 3197-3200.

[22] 申琳, 唐吉龙, 贾慧民, 等. 快速热退火对 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱材料发光特性的影响[J]. 中国激光, 2021, 48(7): 0711001.

[23] 李想, 亢玉彬, 唐吉龙, 等. Si 掺杂对 GaAs 纳米线发光特性的影响[J]. 发光学报, 2021, 42(5): 629.

[24] 崔星宇, 林逢源, 张志宏, 等. 低噪声 InGaAs/InP 雪崩光电二极管的模拟分析[J]. 中国激光, 2021, 48(17): 1701001.

[25] Yubin K, Xiaobing H, Jilong T, et al. Self-induced antimony compositional variation GaAs/Ga (As) Sb core-shell nanowires by molecular beam epitaxy[C]//Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2021, 1907(1): 012040.

[26] Jia H, Tang J, Shen L, et al. The molecular beam epitaxy growth of InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well on GaAs substrate with emission wavelength of∼ 2μm[C]//Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2021, 1907(1): 012053.

[27] 亢玉彬, 唐吉龙, 张健, 等. 高应变 InxGa1-xAs 薄膜的结晶质量及光学特性[J]. 中国激光, 2019, 46(2): 0203002.

[28] 张健, 唐吉龙, 亢玉彬, 等. GaSb 衬底外延 InAs 薄膜及光学性质研究[J]. 光子学报, 2019, 48(10): 1031002.

[29] 谭伟, 杨存, 唐吉龙, 等. 基于时域有限差分法的 Au 纳米天线增强消光特性研究[J]. 光子学报, 2018, 47(5): 0516006.

[30] Li R X, Tang J L, Fang D, et al. Progress on Preparation of InAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy[C]//Materials Science Forum. Trans Tech Publications Ltd, 2016, 852: 349-355.

[31] Jia H M, Tang J L, Chang L, et al. The structural and optical properties of Be-doped GaAs grown by MBE[C]//Advanced Materials Research. Trans Tech Publications Ltd, 2015, 1118: 111-117.

代表性专利

[1] 唐吉龙，申琳，魏志鹏，一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，授权号ZL201911411778.0.

[2] 唐吉龙，王鹏华，魏志鹏，一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用，国家发明专利，授权号ZL201911421077.5.

[3] 唐吉龙，魏志鹏，方铉，一种基于量子点修饰的纳米线探测器，国家发明专利，授权号ZL201811405317.8.

[4] 唐吉龙，方铉，魏志鹏，用分子束外延(MBE)在Gasb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法，国家发明专利，授权号ZL201410165012.X.

[5] 唐吉龙，魏志鹏，方铉，Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201510111618.X.

[6] 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，授权号ZL201911411742.2.

[7] 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种窄线宽半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201810000258.X.

[8] 魏志鹏，唐吉龙，方铉，一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201810039796.X.

[9] 魏志鹏，唐吉龙，方铉， 一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法，国家发明专利，授权号ZL201710352038.9.

[10] 魏志鹏，唐吉龙，方铉，一种量子点带间级联激光器，国家发明专利，授权号ZL201610436288.6.

[11] 魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，一种半导体光放大器，国家发明专利，授权号ZL201611100374.

[12] 贾慧民，魏志鹏，唐吉龙，一种纳米线阵列器件的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201811411998.9.

[13] 方铉，魏志鹏，唐吉龙，一种钙钛矿微型激光器的制备方法，国家发明专利，授权号ZL201811227697.0.

[14] 魏志鹏，贾慧民，唐吉龙，一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，国家发明专利，授权号ZL201810006341.8.

[15] 魏志鹏，方铉，牛守柱，唐吉龙，一种发光效率增强的半导体激光器，国家发明专利，授权号ZL201611091156.0